BC857W

32 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
20 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 160 руб.
Номенклатурный номер: 8002982402
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: NXP Semiconductor
Описание
TRANS, PNP, -45V, 100MHZ, SOT-323-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:800hFE; RF Transistor Case:SOT-323; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Технические параметры
Brand | Nexperia |
Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
Configuration | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 125 |
DC Current Gain hFE Max | 125 at 2 mA at 5 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
Height | 1 mm |
Length | 2.2 mm |
Manufacturer | Nexperia |
Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-323-3 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | /T3 BC857W |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | PNP |
Unit Weight | 0.000176 oz |
Width | 1.35 mm |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов