BC857W

32 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.20 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 160 руб.
Номенклатурный номер: 8002982402
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: NXP Semiconductor

Описание

TRANS, PNP, -45V, 100MHZ, SOT-323-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:800hFE; RF Transistor Case:SOT-323; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)

Технические параметры

Brand Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 125
DC Current Gain hFE Max 125 at 2 mA at 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 10000
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Height 1 mm
Length 2.2 mm
Manufacturer Nexperia
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-323-3
Packaging Reel
Part # Aliases /T3 BC857W
Pd - Power Dissipation 200 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Transistor Polarity PNP
Unit Weight 0.000176 oz
Width 1.35 mm

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов