BC857W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
40 руб.
от 10 шт. —
22 руб.
от 100 шт. —
6.71 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 184 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
TRANS, PNP, -45V, 100MHZ, SOT-323-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:800hFE;
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Family | Transistors(BJT)-Single |
| Frequency - Transistion | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Other Names | BC857W/T3 |
| Package / Case | SC-70-3, SOT-323, UMT3 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power - Max | 200mW |
| Standard Package | 30 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 0.5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 125 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
