2N7002BK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
40 руб.
от 10 шт. —
24 руб.
от 100 шт. —
8.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 186 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET,N CH,60V,0.35A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:350mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Power Dis
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
Pd - рассеивание мощности | 440 mW |
Qg - заряд затвора | 0.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 6 ns |
Время спада | 7 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 12 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 350mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 370mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 500mA,10V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA |
кол-во в упаковке | 3000 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 350 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 440 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 732 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 167 КБ
Datasheet 2N7002BK.215
pdf, 722 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов