2N7002BK

Фото 1/7 2N7002BK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.40 руб.
от 10 шт.24 руб.
от 100 шт.8.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 186 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002983936
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент
MOSFET,N CH,60V,0.35A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:350mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Power Dis

Технические параметры

Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Id - непрерывный ток утечки 350 mA
Pd - рассеивание мощности 440 mW
Qg - заряд затвора 0.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 6 ns
Время спада 7 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения 12 ns
Типичное время задержки при включении 5 ns
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 350mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 370mW
Rds On - Drain-Source Resistance 1.6О© @ 500mA,10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.1V @ 250uA
кол-во в упаковке 3000
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 350 mA
Maximum Drain Source Resistance 2 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 440 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 1.1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
Width 1.4mm
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 732 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 167 КБ
Datasheet 2N7002BK.215
pdf, 722 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов