BD241CG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
157 руб.
от 50 шт. —
136.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Bulk (Alt: 54AH6141)
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 90 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.53 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | BD241C |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.83 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.53 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 90 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | BD241C |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 115 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Minimum DC Current Gain | 2.5 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
