MJF45H11G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 10А, 36Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 10(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 10 A |
Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 60 |
DC Current Gain (Min) | 60 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Frequency | 40(MHz) |
Frequency (Max) | 40 MHz |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-220FP |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Power Dissipation | 2(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 36 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 9.24 mm (Max) |
Длина | 10.63 mm (Max) |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 5 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | MJF45H11 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Ширина | 4.9 mm (Max) |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum DC Collector Current | 20 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 20 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 36 W |
Minimum DC Current Gain | 60 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 3.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары