MMBFJ108
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
108 руб.
от 100 шт. —
89.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
Электроэлемент
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:80mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:80mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-10V; Transistor Case Style
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain-Gate Voltage (Max) | 25(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 25(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -55C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | SOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rad Hardened | No |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 10 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -10 V |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Package / Case: | SOT-23 |
| Part # Aliases: | MMBFJ108_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 Ohms |
| Series: | MMBFJ108 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -25 V |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 437 КБ
Datasheet J109-D26Z
pdf, 1096 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
