TC7920K6-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 руб.
от 2 шт. —
1 080 руб.
от 5 шт. —
984 руб.
от 10 шт. —
940 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 руб.
Описание
Электроэлемент
Two Pair, N- And P-ch Enhancement-mode Mosfet W/DRAIN-DIODES12 Vdfn 4X4X1.0MM T/r
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Quad |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3300 |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Package / Case: | VDFN-12 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 Ohms, 8 Ohms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 2.4 V |
| Вес, г | 4.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 721 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
