2SD1624T-TD-E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
118 руб.
от 44 шт. —
99.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin(3+Tab) PCP T/R - Tape and Reel (Alt: 2SD1624T-TD-E)
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.35 V |
Configuration | Single |
DC Current Gain hFE Max | 560 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT | 150 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | PCP-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2SD1624 |
Transistor Polarity | NPN |
Brand: | onsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 190 mV |
Configuration: | Single |
DC Current Gain hFE Max: | 560 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 3 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | PCP-3 |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.106 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 357 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары