2SC5707-E

270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.210 руб.
от 10 шт.188 руб.
от 33 шт.170 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 8002989794
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 50V, 8A, TO-251-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:330MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 160 mV, 110 mV
Configuration Single
Continuous Collector Current 8 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 200
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 500
Gain Bandwidth Product fT 330 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 11 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-251-3
Packaging Bulk
Pd - Power Dissipation 15 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series 2SC5707
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.139332 oz
Вес, г 0.34

Техническая документация

Datasheet
pdf, 430 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов