BC817-40W

Фото 1/7 BC817-40W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
91 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.39 руб.
от 10 шт.21 руб.
от 100 шт.6.69 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 182 руб.
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8002989985
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 45V, 500MA, SOT-323-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:250hFE;

Технические параметры

RoHS Compliant Yes
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Другие названия товара № 934021940115
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 250 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250 at 100 mA, 1 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC817
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Base Product Number BC817 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 45V
Maximum DC Collector Current 500mA
Pd - Power Dissipation 200mW
кол-во в упаковке 3000
Maximum Collector Base Voltage 50 V
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum DC Current Gain 250
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-323(SC-70)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.04

Техническая документация

BC817W_SER-1598709
pdf, 276 КБ
Datasheet
pdf, 274 КБ
Datasheet
pdf, 236 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 314 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов