PUMH10
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
96 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
42 руб.
от 10 шт. —
25 руб.
от 100 шт. —
9.97 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 192 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Электроэлемент
Nexperia, PUMH10,115, Dual NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 2.2 kΩ, Ratio Of 0.047, 6-Pin SOT-363
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | 934056189115 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.047 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TSSOP-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Base Product Number | P*MH10 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 300mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
