MJD2955G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
100 руб.
от 7 шт. —
87 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Электроэлемент
20uA 60V 1.75W 20@4A,4V 10A 2MHz 8V@10A,3.3A PNP -55°C~+150°C@(Tj) TO-252-2(DPAK) BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 70 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.1 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 10 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 75 |
Gain Bandwidth Product fT | 2 MHz |
Height | 2.38 mm |
Length | 6.73 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 10 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 20 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | MJD2955 |
Transistor Polarity | PNP |
Width | 6.22 mm |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.38 mm |
Длина | 6.73 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
Размер фабричной упаковки | 75 |
Серия | MJD2955 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 70 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
Maximum Operating Frequency | 500 kHz |
Maximum Power Dissipation | 20 W |
Minimum DC Current Gain | 20 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары