TK110P10PL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 160А; 75Вт; DPAK

Фото 1/2 TK110P10PL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 160А; 75Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
94 шт., срок 6 недель
280 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.
Номенклатурный номер: 8003104021
Артикул: TK110P10PL
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 160А; 75Вт; DPAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Case DPAK
Drain current 60A
Drain-source voltage 100V
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Manufacturer TOSHIBA
Mounting SMD
On-state resistance 16mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 75W
Pulsed drain current 160A
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 0.38

Техническая документация

Datasheet
pdf, 556 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.