FMMT619TA, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 0.625Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
от 103 шт. —
19 руб.
от 205 шт. —
17 руб.
от 409 шт. —
16 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 480 руб.
Посмотреть аналоги5
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 0.625Вт
Технические параметры
| Корпус | SOT23-3 | |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.22 V | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальная рабочая частота | 165 MHz | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В | |
| Длина | 3мм | |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 50 V | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Производитель | DiodesZetex | |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V | |
| Тип корпуса | SOT-23 | |
| Максимальное рассеяние мощности | 0.625 W | |
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Ширина | 1.4мм | |
| Максимальный пост. ток коллектора | 2 A | |
| Тип транзистора | NPN | |
| Высота | 1.1мм | |
| Число контактов | 3 | |
| Размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм | |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В | |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V | |
| Maximum DC Collector Current | 2A | |
| Pd - Power Dissipation | 625mW | |
| Transistor Type | NPN | |
| Brand: | Diodes Incorporated | |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current: | 2 A | |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Gain Bandwidth Product fT: | 165 MHz | |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated | |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Package / Case: | SOT-23-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW | |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
| Series: | FMMT619 | |
| Subcategory: | Transistors | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 165 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW | |
| Minimum DC Current Gain | 300 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
