APT95GR65B2
5 120 руб.
от 2 шт. —
4 890 руб.
от 5 шт. —
4 700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 120 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 650V 208A 892000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 208A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 400A |
| Gate Charge | 420nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | Microsemi Corporation |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 892W |
| Series | - |
| Supplier Device Package | T-MAXв(ў(B2) |
| Switching Energy | 3.12mJ(on), 2.55mJ(off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 29ns/226ns |
| Test Condition | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Вес, г | 6.81 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
