4N35-000E, Оптопара транзисторная, x1 3.55кВ 10В Кус=100%... 0.35Вт -55...+100°C

Фото 1/5 4N35-000E, Оптопара транзисторная, x1 3.55кВ 10В Кус=100%... 0.35Вт -55...+100°C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
66 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 39 шт.53 руб.
от 65 шт.49 руб.
от 195 шт.46 руб.
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 462 руб.
Посмотреть аналоги6
Номенклатурный номер: 8003163825
Артикул: 4N35-000E
Бренд: Broadcom Limited

Описание

Оптоэлектроника / Оптопары / Транзисторные оптопары
Оптопара транзисторная, x1 3.55кВ 10В Кус=100%... 0.35Вт -55...+100°C

Технические параметры

Корпус DIP-6
Brand: Broadcom/Avago
Configuration: 1 Channel
Current Transfer Ratio: 100%
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 65
Fall Time: 10 us
If - Forward Current: 60 mA
Isolation Voltage: 3550 Vrms
Manufacturer: Broadcom Limited
Maximum Collector Current: 100 mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Maximum Collector Emitter Voltage: 30 V
Maximum Operating Temperature: +100 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Output Type: NPN Phototransistor
Package / Case: PDIP-6
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Product Category: Transistor Output Optocouplers
Product Type: Transistor Output Optocouplers
Rise Time: 10 us
Series: 4N
Subcategory: Optocouplers
Vf - Forward Voltage: 1.5 V
Vr - Reverse Voltage: 6 V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 216 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Оптопары с транзисторным и диодным выходом»