AOK40B65H2AL, Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 105Вт, TO247, Eвыкл: 0,54мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 руб.
от 3 шт. —
630 руб.
от 10 шт. —
490 руб.
от 80 шт. —
408.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 750 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 105Вт, TO247, Eвыкл: 0,54мДж Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Collector current | 40A |
| Collector-emitter saturation voltage | 2.05V |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Gate charge | 61nC |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 105W |
| Pulsed collector current | 120A |
| Turn-off switching energy | 0.54mJ |
| Turn-off time | 152ns |
| Turn-on switching energy | 1.17mJ |
| Turn-on time | 64ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector Current (Ic) | 80A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 315ns |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.6V@15V, 40A |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 260W |
| Pulsed Collector Current (Icm) | 120A |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 61nC |
| Turn?off Delay Time (Td(off)) | 117ns |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 30ns |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 1.17mJ |
| Type | - |
| Вес, г | 6.19 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
