IRLZ34NPBF, Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 350 шт.
от 2003 шт. —
95 руб.
Добавить в корзину 350 шт.
на сумму 38 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 27А, 56Вт, TO220AB
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 27 A |
Pd - рассеивание мощности | 56 W |
Qg - заряд затвора | 25 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.65 mm |
Длина | 10 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.4 mm |
Крутизна характеристики S,А/В | 11 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 35 |
Температура, С | -55…+175 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 68W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 16A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±16V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 68 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
Вес, кг | 10.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 225 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLZ34NPBF
pdf, 226 КБ
Datasheet IRLZ34N
pdf, 104 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов