IGW40T120FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
860 руб.
Мин. кол-во для заказа 43 шт.
от 122 шт. —
840 руб.
от 318 шт. —
796 руб.
Добавить в корзину 43 шт.
на сумму 36 980 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
| Gate Charge | 203nC |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 270W |
| Series | TrenchStopВ® |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 6.5mJ |
| Td (on/off) @ 25В°C | 48ns/480ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 15 Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IGW40T120FKSA1
pdf, 299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
