Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRLR024NTRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A ...

IRLR024NTRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

69 руб.

Кратность заказа 2000 шт.

от 4000 шт. — 64 руб.

от 8000 шт. — 57 руб.

Добавить в корзину 2000 шт. на сумму 138 000 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003191826

Артикул: IRLR024NTRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор полевой IRLR024NTRPBF от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для современной электроники с монтажом типа SMD. Он обладает максимальным током стока 17 А и напряжением сток-исток 55 В, что делает его идеальным выбором для различных силовых применений. Мощность транзистора составляет 38 Вт, а его N-MOSFET структура гарантирует эффективное управление электрическим током. Устройство заключено в надежный корпус DPAK, обеспечивающий удобство монтажа и долговечность использования. Используя код IRLR024NTRPBF, вы легко найдете все необходимые технические данные и сможете приобрести данный транзистор для своих проектов в области электроники. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	17
Напряжение сток-исток, В	55
Мощность, Вт	38
Корпус	DPAK

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	17 A
Pd - рассеивание мощности	38 W
Qg - заряд затвора	10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	110 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
Vgs - напряжение затвор-исток	16 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	74 ns
Время спада	29 ns
Высота	2.3 mm
Длина	6.5 mm
Другие названия товара №	SP001578872
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	Si
Тип	HEXFET Power MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	7.1 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.22 mm
Крутизна характеристики S,А/В	8.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	65
Температура, С	-55…+175
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	17A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	45W
Rds On - Drain-Source Resistance	65mО© @ 10A,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	55V
Vgs - Gate-Source Voltage	2V @ 250uA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	17 A
Maximum Drain Source Resistance	110 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +16 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	45 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	15 nC @ 5 V
Width	6.22mm
Время	задержки включения/выключения-7.1/20 нс
Диапазон рабочих температур	-55…+175 °С
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±16 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	17
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	65
Мощность	рассеиваемая(Pd)-45 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-1 В
Описание	55V, 17A N-Channel MOSFET
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип проводимости	N
Упаковка	REEL, 2000 шт.
Вес, кг	175