IRLZ24NPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
85 руб.
Мин. кол-во для заказа 440 шт.
от 813 шт. —
82 руб.
от 2302 шт. —
79 руб.
Добавить в корзину 440 шт.
на сумму 37 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 18А, 45Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 105 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Base Product Number | IRLZ24 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 11A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Вес, кг | 175 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLZ24NPBF
pdf, 767 КБ
Документация
pdf, 765 КБ
Datasheet IRLZ24N
pdf, 177 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
