BC856BLT1G, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 18000 шт. —
3.30 руб.
Добавить в корзину 12000 шт.
на сумму 48 000 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор PNP, биполярный, 65В, 0,1А, 225мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,65 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
| Длина | 2.9мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 65 V |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.3мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 0.94мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 0.94 x 2.9 x 1.3мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 220 |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7(Typ)0.5mA 10mA|0.9(Typ)5mA 100mA |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 0.5mA 10mA|0.65 5mA 100mA |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 65 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Minimum DC Current Gain | 220 2mA 5V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Type | PNP |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 83 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 204 КБ
BC856ALT1G Series
pdf, 194 КБ
Datasheet BC856-860
pdf, 62 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
