SPA11N80C3XKSA1, Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
Мин. кол-во для заказа 76 шт.
от 143 шт. —
470 руб.
от 403 шт. —
448 руб.
Добавить в корзину 76 шт.
на сумму 37 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой SPA11N80C3XKSA1 от производителя INFINEON - это высоковольтный N-MOSFET, предназначенный для монтажа THT. С током стока 11 А и напряжением сток-исток 800 В, этот транзистор обеспечивает мощность до 34 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,45 Ом, что гарантирует эффективную проводимость и низкие потери мощности. Корпус PG-TO220-3-FP обеспечивает удобную установку на печатные платы и надежную работу в различных электронных устройствах. Используйте SPA11N80C3XKSA1 для уверенной работы ваших электронных проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 11 |
| Напряжение сток-исток, В | 800 |
| Мощность, Вт | 34 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.45 |
| Корпус | PG-TO220-3-FP |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 41 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | CoolMOS C3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Width | 4.85mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 100V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 34W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
