IRFD220PBF, Trans MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 370 шт.
от 677 шт. —
98 руб.
от 1916 шт. —
95 руб.
Добавить в корзину 370 шт.
на сумму 40 700 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,5А, 1Вт, DIP4 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 22 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.6 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | IRFD |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.2 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | DIP-4 |
| Base Product Number | IRFD220 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 480mA, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Series | - |
Техническая документация
Datasheet IRFD220PBF
pdf, 989 КБ
Datasheet IRFD220PBF
pdf, 1894 КБ
IRFD220 Datasheet
pdf, 175 КБ
Документация
pdf, 1894 КБ
Datasheet IRFD220, SiHFD220
pdf, 1895 КБ
