2N4403BU, Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 руб.
Кратность заказа 10000 шт.
Добавить в корзину 10000 шт.
на сумму 110 000 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги13
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор биполярный,PNP, 40В, 600мА, 350мВт, TO9 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Lead Finish | Matte Tin |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 0.95@15mA@150mAI1.3@50mA@500mA V |
Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.4@15mA@150mAI0.75@50mA@500mA V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Minimum DC Current Gain | 30@0.1mA@1VI60@1mA@1VI100@10mA@1VI100@150mA@2VI20@500mA@2V |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Type | PNP |
Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов