IGW30N60TPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

IGW30N60TPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
Добавить в корзину 130 шт. на сумму 39 000 руб.
Номенклатурный номер: 8003198987
Артикул: IGW30N60TPXKSA1

Описание

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IGW30N60TP SP001379674
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 53 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия Trenchstop Performance
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 0.426

Техническая документация

Datasheet IGW30N60TPXKSA1
pdf, 1472 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов