IGW30N60TPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
Добавить в корзину 130 шт.
на сумму 39 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IGW30N60TP SP001379674 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 53 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | Trenchstop Performance |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet IGW30N60TPXKSA1
pdf, 1472 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов