BC807-40,235, Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/2 BC807-40,235, Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
590000 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 10000 шт.
от 20000 шт.4 руб.
от 40000 шт.3.70 руб.
Добавить в корзину 10000 шт. на сумму 50 000 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003209325
Артикул: BC807-40,235
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-13

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № 933628580235
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 250 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250 at 100 mA, 1 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 80 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number BC807 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 80MHz
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 283 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.