BFR93AE6327HTSA1, Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
18 руб.
от 12000 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 57 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > RF BJT
Описание Транзистор n-p-n 15В 0,035A 6ГГц SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Другие названия товара № | BFR 93A E6327 SP000011066 |
Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
Подкатегория | Transistors |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BFR93 |
Технология | Si |
Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 at 30 mA at 8 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.09 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 6000 MHz |
Тип | RF Bipolar Small Signal |
Тип транзистора | Bipolar |
Ширина | 1.3 mm |
AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
Automotive | Yes |
Maximum 3rd Order Intercept Point - (dBm) | 15(Typ) |
Maximum Collector Base Voltage - (V) | 20 |
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 12 |
Maximum DC Collector Current - (A) | 0.09 |
Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 2 |
Maximum Noise Figure - (dB) | 2.6(Typ) |
Maximum Power 1dB Compression - (dBm) | 6(Typ) |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 300 |
Maximum Transition Frequency - (MHz) | 6000(Typ) |
Military | No |
Minimum DC Current Gain | 70@30mA@8V |
Minimum DC Current Gain Range | 50 to 120 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Operational Bias Conditions | 8V/30mA |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | SOT-23 |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Input Capacitance - (pF) | 1.9 |
Typical Output Capacitance - (pF) | 0.54 |
Typical Power Gain - (dB) | 14.5 |
Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
Maximum DC Collector Current | 90 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 2 V |
Maximum Operating Frequency | 6 GHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 606 КБ
Datasheet BFR93AE6327HTSA1
pdf, 609 КБ
Datasheet BFR93AE6327HTSA1
pdf, 603 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов