IRF9640STRLPBF, Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Кратность заказа 800 шт.
от 1600 шт. —
170 руб.
от 3200 шт. —
153 руб.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 144 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Транзистор полевой P-канальный 200В 11А 125Вт
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 500@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 44(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1200@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Typical Fall Time (ns) | 38 |
| Typical Rise Time (ns) | 43 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 39 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 9.65(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Крутизна характеристики S,А/В | 4.1 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 500 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 500 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF9640SPBF
pdf, 192 КБ
Datasheet IRF9640STRRPBF
pdf, 176 КБ
Выбор кримпера для обжима клемм
pdf, 200 КБ
