IRFB9N60APBF, Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

290 руб.

Мин. кол-во для заказа 130 шт.

от 237 шт. — 280 руб.

от 671 шт. — 269 руб.

Добавить в корзину 130 шт. на сумму 37 700 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003210698

Артикул: IRFB9N60APBF

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5,8А, 170Вт, TO220AB Характеристики

Крутизна характеристики S,А/В	5.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	750
Температура, С	-55…+150
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	9.2A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	170W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 5.5A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	9.2 A
Maximum Drain Source Resistance	750 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	170 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	49 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Вес, кг	21.2