IRLB8748PBF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 350 шт.
от 2000 шт. —
95 руб.
Добавить в корзину 350 шт.
на сумму 38 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 30В 78A [TO-220AB]
Технические параметры
Base Product Number | IRLB8748 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 92A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2139pF @ 15V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 40A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | HEXFETВ® -> |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50ВµA |
Id - непрерывный ток утечки: | 92 A |
Pd - рассеивание мощности: | 75 W |
Qg - заряд затвора: | 23 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 6.8 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.8 V |
Вид монтажа: | Through Hole |
Высота: | 15.65 mm |
Длина: | 10 mm |
Другие названия товара №: | IRLB8748PBF SP001567020 |
Канальный режим: | Enhancement |
Категория продукта: | МОП-транзистор |
Количество каналов: | 1 Channel |
Коммерческое обозначение: | HEXFET |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Подкатегория: | MOSFETs |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Производитель: | Infineon |
Размер фабричной упаковки: | 1000 |
Серия: | N-Channel |
Технология: | Si |
Тип продукта: | MOSFET |
Тип транзистора: | 1 N-Channel |
Торговая марка: | Infineon / IR |
Упаковка / блок: | TO-220-3 |
Упаковка: | Tube |
Ширина: | 4.4 mm |
FET Feature | - |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 92 A |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Silicon |
Вес, кг | 278 |
Техническая документация
Datasheet IRLB8748PBF
pdf, 273 КБ
Datasheet IRLB8748PBF
pdf, 273 КБ
Datasheet IRLB8748PBF
pdf, 264 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов