MMBFJ177LT1G, Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
25 руб.
от 12000 шт. —
23 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 78 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - JFET
Описание Транзистор P-JFET, полевой, 225мВт, SOT23, 50мА Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | JFET |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Configuration | Single |
Drain-Source Current At Vgs=0 | 1.5 mA to 20 mA |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Product Category | JFET |
Series | MMBFJ177L |
Transistor Polarity | P-Channel |
Type | JFET |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Channel Type | P |
Idss Drain-Source Cut-off Current | 1.5 to 20mA |
Maximum Drain Gate Voltage | 25V dc |
Maximum Drain Source Resistance | 300 Ω |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Source Gate On-Capacitance | 11pF |
Transistor Configuration | Single |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMBFJ177LT1G
pdf, 70 КБ
Datasheet SMMBFJ177LT1G
pdf, 73 КБ
MMBFJ177
pdf, 240 КБ
MMBFJ177LT1G, SMMBFJ177LT1G
pdf, 119 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов