BFP196E6327HTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | SP000011027 BFP196E6327XT BFP196E6327HTSA1 |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 at 50 mA at 8 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 7500 MHz |
| Рабочая частота | 7.5 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BFP196 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-143-4 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Base Product Number | BFP196 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 7.5GHz |
| Gain | 10.5dB ~ 16.5dB |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Power - Max | 700mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | PG-SOT143-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-143 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 551 КБ
Datasheet BFP 196 E6327
pdf, 546 КБ
