Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › BC849BLT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW ...

BC849BLT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 руб.

Мин. кол-во для заказа 45000 шт.

Кратность заказа 3000 шт.

Добавить в корзину 45000 шт. на сумму 270 000 руб.

Номенклатурный номер: 8003279443

Артикул: BC849BLT1G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC849BL
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Type	NPN
Product Category	Bipolar Small Signal
Material	Si
Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	30
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	0.9(Typ)@5mA@100mA\|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.25@0.5mA@10mA\|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)	0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	15
Minimum DC Current Gain	200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW)	300
Maximum Transition Frequency (MHz)	100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Automotive	No
Standard Package Name	SOT
Pin Count	3
Supplier Package	SOT-23
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	0.94
Package Length	2.9
Package Width	1.3
PCB changed	3
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Collector Base Voltage	30 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage	30 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	5 V dc
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	300 mW
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-23
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	1