BFU590QX, Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Фото 1/2 BFU590QX, Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
160 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
от 2000 шт.150 руб.
от 3000 шт.131 руб.
Добавить в корзину 1000 шт. на сумму 160 000 руб.
Номенклатурный номер: 8003279478
Артикул: BFU590QX
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > RF BJT
Описание Усилители операционные, дифференциальные, инструментальные TO243

Технические параметры

Brand NXP Semiconductors
Collector- Base Voltage VCBO 24 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 16 V
Configuration Dual
Continuous Collector Current 80 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 60
DC Current Gain hFE Max 130
Emitter- Base Voltage VEBO 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product fT 8 GHz
Manufacturer NXP
Maximum DC Collector Current 300 mA
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Operating Frequency 900 MHz
Operating Temperature Range -40 C to+150 C
Package / Case SOT89-3
Packaging Cut Tape
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Product Category RF Bipolar Transistors
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity NPN
Transistor Type Bipolar Wideband
Type Wideband RF Transistor
Unit Weight 0.001423 oz
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet BFU590QX
pdf, 254 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов