BFU590QX, Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
от 2000 шт. —
150 руб.
от 3000 шт. —
131 руб.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 160 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > RF BJT
Описание Усилители операционные, дифференциальные, инструментальные TO243
Технические параметры
Brand | NXP Semiconductors |
Collector- Base Voltage VCBO | 24 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 16 V |
Configuration | Dual |
Continuous Collector Current | 80 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 |
DC Current Gain hFE Max | 130 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 2 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT | 8 GHz |
Manufacturer | NXP |
Maximum DC Collector Current | 300 mA |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Operating Frequency | 900 MHz |
Operating Temperature Range | -40 C to+150 C |
Package / Case | SOT89-3 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 2000 mW |
Product Category | RF Bipolar Transistors |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | NPN |
Transistor Type | Bipolar Wideband |
Type | Wideband RF Transistor |
Unit Weight | 0.001423 oz |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet BFU590QX
pdf, 254 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов