W949D6DBHX5E/TRAY, DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
186 шт., срок 6-8 недель
620 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Добавить в корзину 60 шт.
на сумму 37 200 руб.
Описание
Semiconductor - IC > Memory > DRAM
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA
Технические параметры
Automotive | No |
Chip Density (bit) | 512M |
DRAM Type | Mobile LPDDR SDRAM |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Interface Type | LVCMOS |
Lead Shape | Ball |
Maximum Access Time (ns) | 6.5|5 |
Maximum Clock Rate (MHz) | 200 |
Maximum Operating Supply Voltage (V) | 1.95 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
Minimum Operating Supply Voltage (V) | 1.7 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -25 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Bits/Word (bit) | 16 |
Number of I/O Lines (bit) | 16 |
Number of Internal Banks | 4 |
Number of Words per Bank | 8M |
Operating Current (mA) | 75 |
Organization | 32Mx16 |
Part Status | Active |
PCB changed | 60 |
Pin Count | 60 |
PPAP | No |
Standard Package Name | BGA |
Supplier Package | VFBGA |
Supplier Temperature Grade | Extended |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1342 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.