IXYH10N170CV1, Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 шт., срок 7-9 недель
2 480 руб.
Кратность заказа 30 шт.
от 60 шт. —
2 460 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 74 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 3.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 36А |
| Power Dissipation | 280Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | XPT Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AD |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 219 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
