APT30GN60BDQ2G, Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
1 320 руб.
Мин. кол-во для заказа 28 шт.
от 80 шт. —
1 280 руб.
Добавить в корзину 28 шт.
на сумму 36 960 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 63 A |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 203 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 157 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
