NSS1C201LT1G, Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
36 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
34 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 108 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
100V 490mW 120@500mA,2V 2A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@2A, 200mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@500mA, 2V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 490mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 110MHz |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
