SI1902DL-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 20V 0.66A 6-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
47 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 141 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 700 mA |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | SI1902DL-T1-BE3 SI1902DL-E3 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 385 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 202 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![AOD4132, Транзистор N-MOSFET 30В 85A 100Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
