Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Product Category	Power MOSFET
Process Technology	HEXFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	200
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	1.8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	3000@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	11(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	11(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	170@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	2000
Typical Fall Time (ns)	8
Typical Rise Time (ns)	15
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	10
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	TO-220AB
Standard Package Name	TO-220
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	9.01(Max)
Package Length	10.41(Max)
Package Width	4.7(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Id - непрерывный ток утечки	1.8 A
Pd - рассеивание мощности	20 W
Qg - заряд затвора	11 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	15 ns
Время спада	8 ns
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	0.9 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	10 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Base Product Number	IRF9610 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	1.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 900mA, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
FET Feature	-
Manufacturer	Vishay Siliconix
Packaging	Tube
Series	-
Maximum Continuous Drain Current	1.8 A
Maximum Drain Source Resistance	3 Ω
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220AB
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Крутизна характеристики S,А/В	0.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	-4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	3000
Температура, С	-55…+150
Transistor Polarity	P Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, кг	193

IRF9610PBF, Trans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация