Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFIBF20GPBF, Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A ...

IRFIBF20GPBF, Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

240 руб.

Мин. кол-во для заказа 160 шт.

от 297 шт. — 230 руб.

от 841 шт. — 215 руб.

Добавить в корзину 160 шт. на сумму 38 400 руб.

Номенклатурный номер: 8003312377

Артикул: IRFIBF20GPBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Продукция для высоких температур

Vishay предлагает высокотемпературные резисторы, конденсаторы, индукторы и полупроводники. При бурении нефтяных и газовых скважин оборудование подвергается воздействию суровых условий, включая экстремальные температуры, давление, влажность, удары и вибрацию. После ввода в эксплуатацию оборудование должно работать от 5 до 10 лет и работать при очень высоких температурах без обслуживания. Компоненты, используемые для этого оборудования, должны выдерживать эти суровые условия при сохранении точности. Отсутствие данных повлечет за собой их удаление для ремонта, что приведет к дорогостоящим задержкам. Vishay помогает избежать этой возможности, предлагая несколько высоконадежных и высокоточных резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и полупроводников.

Технические параметры

EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Lead Shape	Through Hole
Tab	Tab
Package Height	16.12(Max)
Package Width	4.83(Max)
Package Length	10.63(Max)
Mounting	Through Hole
PCB changed	3
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	900
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	1.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	8000@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	38(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	38(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	490@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	30000
Typical Fall Time (ns)	32
Typical Rise Time (ns)	21
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	56
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Supplier Package	TO-220FP
Standard Package Name	TO-220
Pin Count	3
Military	No
Brand:	Vishay Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Id - Continuous Drain Current:	1.2 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	30 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	38 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	8 Ohms
Series:	IRFIBF
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	900 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Case	TO220FP
Drain current	0.79A
Drain-source voltage	900V
Gate charge	38nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Manufacturer	VISHAY
On-state resistance	8Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	30W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, кг	195