IRF830APBF, Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 330 шт.
от 614 шт. —
110 руб.
от 1738 шт. —
104 руб.
Добавить в корзину 330 шт.
на сумму 39 600 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Транзистор полевой N-канальный 500В 5А 74Вт
Технические параметры
Крутизна характеристики S,А/В | 2.8 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4.5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1400 |
Температура, С | -55…+150 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 74 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Width | 4.7mm |
Brand | Vishay Semiconductors |
Factory Pack Quantity | 50 |
Height | 15.49 mm |
Length | 10.41 mm |
Manufacturer | Vishay |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Product Category | MOSFET |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Unit Weight | 0.211644 oz |
Вес, кг | 21.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1044 КБ
Datasheet
pdf, 1043 КБ
irf830a
pdf, 1092 КБ
Документация
pdf, 1166 КБ
Datasheet IRF830A
pdf, 253 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов