IGW25T120FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
от 166 шт. —
610 руб.
от 435 шт. —
582 руб.
Добавить в корзину 60 шт.
на сумму 37 800 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
IGBT NPT, траншейный полевой упор 1200 В, 50 А, 190 Вт, сквозное отверстие PG-TO247-3
Технические параметры
| Base Product Number | IGW25T120 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 155nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 190W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | TrenchStopВ® -> |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 4.2mJ |
| Td (on/off) @ 25В°C | 50ns/560ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IGW25T120
pdf, 350 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
