AO3435, Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 6000 шт.
на сумму 72 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор полевой AO3435 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR представляет собой надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Этот микроэлектронный элемент обладает максимальным током стока 2,3 А и напряжением сток-исток 20 В, что обеспечивает отличные характеристики для широкого спектра применений. Мощность транзистора составляет 0,6 Вт, благодаря чему он идеально подходит для использования в маломощных схемах. Корпус SOT-23-3 обеспечивает удобство интеграции в печатные платы и минимизацию занимаемого пространства. Обратите внимание на код товара для быстрого поиска в каталоге: AO3435. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 2.3 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.6 |
| Корпус | SOT-23-3 |
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 70@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | Unknown |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 56 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.5@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 560@10V |
| Typical Rise Time (ns) | 36 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 53 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7.2 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2.9 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 70@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??8 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 1000 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 8.5@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 560@10V |
