2SK3566(STA4,Q,M), Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 шт., срок 6-8 недель
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 750 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 750 шт.
на сумму 142 500 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
МОП-транзистор N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 20 ns |
| Время спада | 30 ns |
| Высота | 15 mm |
| Длина | 10 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | 2SK3566 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Ширина | 4.5 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2SK3566(STA4.Q.M)
pdf, 212 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
