IGW40N65F5FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
от 174 шт. —
610 руб.
от 455 шт. —
571 руб.
Добавить в корзину 60 шт.
на сумму 37 800 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Описание Транзистор БТИЗ IGW40N65F5FKSA1 от производителя INFINEON – это высокопроизводительный компонент для силовой электроники. С монтажом THT и корпусом PG-TO247-3, он гарантирует надежное подключение к печатной плате. Транзистор способен управлять током коллектора до 74 А при напряжении коллектор-эмиттер 650 В, обеспечивая мощность до 250 Вт. По типу относится к виду IGBT, что делает его идеальным выбором для применений, требующих высокой эффективности и быстродействия. Продукт IGW40N65F5FKSA1 отличается высокой скоростью переключения, долговечностью и стабильностью работы даже в жестких условиях. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 74 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Мощность, Вт | 250 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Energy Rating | 0.46mJ |
| Gate Capacitance | 2500pF |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
