FJV42MTF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
14 руб.
от 150 шт. —
12 руб.
от 500 шт. —
10.30 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 340 руб.
Посмотреть аналоги2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage Transistor
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | FJV42MTF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 350В |
| Continuous Collector Current | 500мА |
| DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
Техническая документация
Datasheet FJV42MTF
pdf, 271 КБ
