J175-D26Z, ON Semi J175-D26Z Digital Transistor, 3-Pin TO-92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 руб.
Кратность заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 78 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Описание ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В
Технические параметры
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | -7 mA to-60 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | 6 V |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 Kinked Lead |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | J175_D26Z |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 Ohms |
| Series: | J175 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Type: | JFET |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 397 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
