IKZ75N65EH5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

Фото 1/2 IKZ75N65EH5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 360 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
от 78 шт.1 320 руб.
от 202 шт.1 260 руб.
Добавить в корзину 27 шт. на сумму 36 720 руб.
Номенклатурный номер: 8003329201
Артикул: IKZ75N65EH5XKSA1

Описание

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Решения для быстрой зарядки электромобилей постоянным током

Infineon Technologies Решения для быстрой зарядки электромобилей постоянным током удовлетворяют потребности электромобилей. В связи с постоянно растущим числом электромобилей на рынке и давлением со стороны правительств с целью сократить выбросы транспортных средств до нуля к 2050 году существует острая потребность в более эффективных решениях для зарядки. Как показывают различные исследования потребителей, принятие электромобилей в значительной степени зависит от доступности и продолжительности процесса зарядки. Мощные зарядные станции постоянного тока являются ответом на эти требования рынка. Уже сегодня типичный электромобиль может зарядить около 80% емкости аккумулятора менее чем за 10 минут. Это сравнимо с заправкой обычного автомобиля с двигателем внутреннего сгорания. Infineon помогает реализовать энергоэффективные схемы быстрой зарядки постоянным током. Воспользуйтесь преимуществами комплексного, готового к внедрению универсального портфолио продуктов и разработок, охватывающего весь спектр продуктов, от преобразователей энергии, микроконтроллеров, систем безопасности, вспомогательных источников питания и средств связи.

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 90 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 240
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Part # Aliases: IKZ75N65EH5 SP001160046
Pd - Power Dissipation: 395 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: TRENCHSTOP 5 H5
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: TRENCHSTOP
Current - Collector (Ic) (Max) 90A
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
Gate Charge 166nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-247-4
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 395W
Reverse Recovery Time (trr) 58ns
Series TrenchStopв(ў 5
Standard Package 240
Supplier Device Package PG-TO247-4
Switching Energy 680ВµJ(on), 430ВµJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 26ns/347ns
Test Condition 400V, 37.5A, 10 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30V
Maximum Power Dissipation 395 W
Number of Transistors 1
Package Type TO-247
Pin Count 4
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IKZ75N65EH5
pdf, 2169 КБ
Datasheet IKZ75N65EH5XKSA1
pdf, 2166 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов