IKZ75N65EH5XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 360 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
от 78 шт. —
1 320 руб.
от 202 шт. —
1 260 руб.
Добавить в корзину 27 шт.
на сумму 36 720 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component
Решения для быстрой зарядки электромобилей постоянным токомInfineon Technologies Решения для быстрой зарядки электромобилей постоянным током удовлетворяют потребности электромобилей. В связи с постоянно растущим числом электромобилей на рынке и давлением со стороны правительств с целью сократить выбросы транспортных средств до нуля к 2050 году существует острая потребность в более эффективных решениях для зарядки. Как показывают различные исследования потребителей, принятие электромобилей в значительной степени зависит от доступности и продолжительности процесса зарядки. Мощные зарядные станции постоянного тока являются ответом на эти требования рынка. Уже сегодня типичный электромобиль может зарядить около 80% емкости аккумулятора менее чем за 10 минут. Это сравнимо с заправкой обычного автомобиля с двигателем внутреннего сгорания. Infineon помогает реализовать энергоэффективные схемы быстрой зарядки постоянным током. Воспользуйтесь преимуществами комплексного, готового к внедрению универсального портфолио продуктов и разработок, охватывающего весь спектр продуктов, от преобразователей энергии, микроконтроллеров, систем безопасности, вспомогательных источников питания и средств связи.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 90 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-4 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IKZ75N65EH5 SP001160046 |
Pd - Power Dissipation: | 395 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | TRENCHSTOP 5 H5 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 90A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
Gate Charge | 166nC |
IGBT Type | - |
Input Type | Standard |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-4 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 395W |
Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
Series | TrenchStopв(ў 5 |
Standard Package | 240 |
Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
Switching Energy | 680ВµJ(on), 430ВµJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 26ns/347ns |
Test Condition | 400V, 37.5A, 10 Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
Maximum Power Dissipation | 395 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 4 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKZ75N65EH5
pdf, 2169 КБ
Datasheet IKZ75N65EH5XKSA1
pdf, 2166 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов