SSM3K341R,LF(T, Trans MOSFET N-CH Si 60V 6A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9000 шт., срок 7-9 недель
38 руб.
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 6000 шт.
на сумму 228 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.3e+007 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 245 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
